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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2020.03.15)
問答題
定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
答案：
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問答題
簡述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
答案：
二氧化硅腐蝕最常見的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO
2
濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
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問答題
什么是薄膜？
答案：
薄膜：指某一維尺寸遠(yuǎn)小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。
好的臺(tái)階覆蓋能力 、高的深寬比填隙能力（>3：...
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問答題
什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡述這些因素對(duì)濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。
答案：
濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
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問答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。
答案：
可動(dòng)離子電荷Q
m
來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...
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問答題
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？
答案：
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問答題
什么是無源元件？例舉出兩個(gè)無源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。
答案：
無源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容...
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問答題
離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
答案：
①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
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問答題
在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？
答案：
不能！聚焦深度：在保持圖形聚焦的前提下，沿著光路方向晶圓片移動(dòng)的距離是聚焦深度——
，...
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問答題
例舉出7種先進(jìn)封裝技術(shù)。
答案：
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