半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.10)

問(wèn)答題
操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？
答案：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：（1）按規(guī)定接受培訓(xùn)考核，以達(dá)到所要求的技能、能力和知識(shí)；（2）嚴(yán)格按工藝規(guī)范和工藝文件進(jìn)行操作，...
判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
答案：正確
問(wèn)答題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。
答案：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核，長(zhǎng)大成為...
判斷題
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）
答案：錯(cuò)誤
判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）
答案：正確
判斷題
厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）
答案：錯(cuò)誤
判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
答案：錯(cuò)誤
單項(xiàng)選擇題
在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)
填空題
白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。
答案：干涉色
判斷題
厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
答案：正確

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.10)

操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.10)

操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）

白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）