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分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

答案：

雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式：在空隙中的...

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱(chēng)為電...

問(wèn)答題

簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。

答案：硼退火特性電激活比例：自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比對(duì)于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。對(duì)于高劑量情況，...

問(wèn)答題

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

答案：非對(duì)稱(chēng)性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

問(wèn)答題

在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

答案：1）銅在SiO₂中極易擴(kuò)散，造成對(duì)硅器件的沾污：增加SiO₂的漏電流；增加結(jié)...

問(wèn)答題

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來(lái)達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...

問(wèn)答題

說(shuō)明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO2和無(wú)定形SiO2的區(qū)別。

答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...

問(wèn)答題

簡(jiǎn)述幾種典型真空泵的工作原理。

答案：幾種典型的真空泵結(jié)構(gòu)：①活塞式機(jī)械泵；②旋片式機(jī)械泵；③增壓器——羅茨泵；④油擴(kuò)散泵；⑤渦輪分子...

問(wèn)答題

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

答案：溝道效應(yīng)：對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入，當(dāng)離子速度方向平行于主晶軸時(shí)，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，注入深度很深。由于溝道...

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.09)

分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

說(shuō)明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO2和無(wú)定形SiO2的區(qū)別。

簡(jiǎn)述幾種典型真空泵的工作原理。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.09)

分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

簡(jiǎn)述硼和磷的退火特性。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

說(shuō)明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO2和無(wú)定形SiO2的區(qū)別。

簡(jiǎn)述幾種典型真空泵的工作原理。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？

分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。

雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說(shuō)明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

從寄生電阻和電容、電遷移兩方面說(shuō)明后道工藝中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用銅（Cu）互連和低介電常數(shù)（low-k）材料的必要性。

什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見(jiàn)，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

說(shuō)明SiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO2和無(wú)定形SiO2的區(qū)別。

簡(jiǎn)述幾種典型真空泵的工作原理。

什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(yīng)（Channeling）和臨界角？怎樣避免溝道效應(yīng)？