集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2019.04.26)

問答題
光電耦合器的主要工作原理是什么？其主要特點(diǎn)是什么？主要參數(shù)有哪些？
答案：光電耦合器的主要工作原理是：
光電耦合器是利用光束實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳遞。工作時(shí)，把電信號(hào)加到輸入端，使發(fā)光器件發(fā)光...
問答題
檢修SMT電路板對(duì)工具提出哪些要求？
答案：越來越多的BAG、倒裝芯片等高精度微型元器件被采用，直接使用傳統(tǒng)的手工方法幾乎無法滿足返修的要求。因此，必須借助專用的、...
多項(xiàng)選擇題
在對(duì)層間絕緣膜進(jìn)行CMP時(shí)，層間絕緣膜的表面會(huì)隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。
A.電路圖形結(jié)構(gòu)的凹凸
B.尺寸大小
C.位置分布
D.高度
E.密集程度
單項(xiàng)選擇題
二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。
A.電
B.磁
C.光
D.熱
多項(xiàng)選擇題
沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。
A.功能
B.成品率
C.物理性能
D.電學(xué)性能
E.外觀
問答題
試說明光電晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理是什么？
答案：光電晶體管是一種特殊的硅晶體管，光線可以照射到基極-集電極耗盡層上，一定強(qiáng)度的光線可以控制電晶體管c-e極間的導(dǎo)通電流。...
問答題
總結(jié)焊接操作的具體手法是什么？（提示：共八條）。
答案：（1）保持烙鐵頭的清潔
焊接時(shí)，烙鐵頭長(zhǎng)期處于高溫狀態(tài)，又接觸助焊劑等弱酸性物質(zhì)，其表面很容易氧化腐蝕并沾上一...
單項(xiàng)選擇題
鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。
A.替位式
B.間隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是間隙式
單項(xiàng)選擇題
多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅
多項(xiàng)選擇題
下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF₄
B.BCl₃
C.Cl₂
D.F₂
E.CHF₃

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集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2019.04.26)

光電耦合器的主要工作原理是什么？其主要特點(diǎn)是什么？主要參數(shù)有哪些？

檢修SMT電路板對(duì)工具提出哪些要求？

在對(duì)層間絕緣膜進(jìn)行CMP時(shí)，層間絕緣膜的表面會(huì)隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。

試說明光電晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理是什么？

總結(jié)焊接操作的具體手法是什么？（提示：共八條）。

鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

集成電路制造工藝員（三級(jí)）章節(jié)練習(xí)(2019.04.26)

光電耦合器的主要工作原理是什么？其主要特點(diǎn)是什么？主要參數(shù)有哪些？

檢修SMT電路板對(duì)工具提出哪些要求？

在對(duì)層間絕緣膜進(jìn)行CMP時(shí)，層間絕緣膜的表面會(huì)隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。

試說明光電晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理是什么？

總結(jié)焊接操作的具體手法是什么？（提示：共八條）。

鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

光電耦合器的主要工作原理是什么？其主要特點(diǎn)是什么？主要參數(shù)有哪些？

檢修SMT電路板對(duì)工具提出哪些要求？

在對(duì)層間絕緣膜進(jìn)行CMP時(shí)，層間絕緣膜的表面會(huì)隨下列那些因素產(chǎn)生變化（）。

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。

沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物質(zhì)。

總結(jié)焊接操作的具體手法是什么？（提示：共八條）。

鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。