半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.07)

填空題
在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開時(shí)的切口叫（）。
答案：劃片槽
判斷題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
答案：正確
單項(xiàng)選擇題
二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。
A.預(yù)
B.再
C.選擇
判斷題
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
答案：正確
單項(xiàng)選擇題
說明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過程叫（）：
A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)
問答題
什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？
答案：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。
對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、...
判斷題
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）
答案：正確
填空題
大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。
答案：復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列
判斷題
邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）
答案：正確
單項(xiàng)選擇題
從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

cao死你好湿好紧好爽视频今日更新亚洲精品图片区 AⅤ无码亚洲免费区人人艹人人摸人人看

<em id="us9t3"><label id="us9t3"></label></em>

首頁

題庫

網(wǎng)課

在線模考

桌面端

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.07)

在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開時(shí)的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

說明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過程叫（）：

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

從離子源引出的是：（）

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.03.07)

在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開時(shí)的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

說明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過程叫（）：

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。

邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

從離子源引出的是：（）

在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開時(shí)的切口叫（）。

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來的遠(yuǎn)程有序的晶體。（）

大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。