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在渦流探傷中,缺陷是通過改變渦流的分布及流動狀態(tài)來影響檢測線圈電參數(shù)的。
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渦流探傷時,試件中渦流產(chǎn)生的磁場總是強化激勵電流所產(chǎn)生的磁場。
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鐵磁性材料在居里溫度以上進(jìn)行渦流探傷時,無需采用磁飽和技術(shù)。
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