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二氧化硅的制備方法很多,其中最常用的是高溫()、()淀積、PECVD淀積。
答案:
氧化;氣相
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填空題
離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是()和()。
答案:
平均投影射程;平均投影標準差
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填空題
外延層的遷移率低的因素有原材料純度();反應室漏氣;外延層的晶體();系統(tǒng)沾污等;載氣純度不夠;外延層晶體缺陷多;生長工藝條件不適宜。
答案:
不夠;質(zhì)量差
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