填空題

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

答案：氧化；氣相

你可能感興趣的試題

離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。

答案：平均投影射程；平均投影標準差

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

答案：不夠；質(zhì)量差

感谢您访问我们的网站，您可能还对以下资源感兴趣：

欧美成人影院在线电影

cao死你好湿好紧好爽视频今日更新亚洲精品图片区 AⅤ无码亚洲免费区人人艹人人摸人人看