填空題

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

答案：氧化；氣相

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離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（）和（）。

答案：平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。

答案：不夠；質(zhì)量差

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